天津低压气相沉积真空镀膜公司

真空镀膜机在韧性较好的刀具（刀片）基体上进行表面涂层，涂覆具有高硬度、高耐磨性、耐高温材料的薄层（如TiN、TiC等），使刀具（刀片）具有周全、良好的综合性能。未涂层高速钢的硬度只为62~68HRC（760~960HV），硬质合金的硬度只为89~93.5HRA（1300~1850HV）；而涂层后的表面硬度可达2000~3000HV以上。①由于表面涂层材料具有比较高的硬度和耐磨性，且耐高温。故与未涂层的刀具（刀片）相比，涂层刀具允许采用较高的切削速度，从而提高了切削加工效率；或能在相同的切削速度下，提高刀具寿命。②由于涂层材料与被加工材料之间的摩擦系数较小，故涂层刀具（刀片）的切削力小于未涂层刀具（刀片）。③用涂层刀具（刀片）加工，零件的已加工表面质量较好。④由于涂层刀具（刀片）的综合性能良好，故涂层硬质合金刀片有较好的通用性，一种涂层硬质合的刀片具有较宽的使用范围。利用PECVD生长的氮化硅薄膜薄膜成分和厚度容易控制。天津低压气相沉积真空镀膜公司

PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。深圳功率器件真空镀膜工艺真空镀膜机新型表面功能覆层技术，其特点是保持基体材料固有的特征，又赋予表面化所要求的各种性能.

真空镀膜机EMI溅射镀膜具有以下特点：磁控溅射是一种高速率低基片温升的成膜技术。1.被溅射基材几无限制（PC、ABS、PC+ABS、陶瓷、、玻璃等）2.膜质致密均匀、膜厚容易控制。3.溅射粒子的初始动能大，溅射薄膜的结合力强（D3359-93方法测试）。4.溅射薄膜的致密度高、小孔少、品质因数高。5.在反应气氛中可以直接获得化合膜。6.溅射时基片的温升低。7.在相同的工艺条件、溅射功率下，溅射速率几乎不变，故可以用时间来估算沉积的膜厚。8.价格低。9.真空溅射加工的金属薄膜厚度只有0.5～2μm，一定不影响装配。10.真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。

磁控溅射真空镀膜机是现在产品在真空条件下进行镀膜使用较多的一种设备，一完整的磁控溅射真空镀膜机是由多部分系统组成的，每个系统可以完成不同的功能，从而实现较终的***镀膜，磁控溅射镀膜其组成包括真空腔、机械泵、真空测试系统、油扩散泵、抽真空系统、冷凝泵以及成膜控制系统等等。磁控溅射真空镀膜机的主体是真空腔，真空腔大小是由加工产品所决定，磁控溅射镀膜的大小能定制，腔体一般是用不锈钢材料制作，要求结实耐用不生锈等。磁控溅射镀膜真空腔有许多连接阀用来连接各种辅助泵。磁控溅射镀膜成膜控制系统能采用不同方式，比如固定镀制时间、目测、监控以及水晶震荡监控等。真空镀膜机镀膜方式也分多种工艺，常用的有离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜。磁控溅射方式镀制的膜层附着力强，膜层的纯度高，可以同事溅射多种不同成分的材料，离子蒸发镀膜可以提高膜层的致密性和结合力及均匀性。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。

在显示器件方面，录象磁头、高密度录象带以及平面显示装置的透明导电膜、摄像管光导膜、显示管荧光屏的铝衬等也都是采用真空镀膜法制备。在元件方面，在真空中蒸发镍铬，铬或金属陶瓷可以制造电阻，在塑料上蒸发铝、一氧化硅、二氧化钛等可以制造电容器，蒸发硒可以得到静电复印机用的硒鼓、蒸发钛酸钡可以制造磁致伸缩的起声元件等等。真空蒸发还可以用于制造超导膜和惯性约束巨变反应用的微珠镀层。此外还可以对珠宝、钟表外壳表面、纺织品金属花纹、金丝银丝线等蒸镀装饰用薄膜，以及采用溅射镀或离子镀对刀具、模具等制造超硬膜。近两年内所兴起的多弧离子镀制备钛金制品，如不锈钢薄板、镜面板、包柱、扶手、高级床托架、楼梯栏杆等目前正在盛行。真空镀膜机光学镀膜主要有两种：一种是抗反射膜、另一种是加硬膜。福建金属真空镀膜加工厂商

在镀膜过程中，想要控制蒸发速率，必须精确控制蒸发源的温度，加热时应尽量避免产生过大的温度梯度。天津低压气相沉积真空镀膜公司

真空镀膜的功能是多方面的，这也决定了其应用场合非常丰富。总体来说，真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果，在薄膜材料上使膜层具有出色的阻隔性能，提供优异的电磁屏蔽和导电效果。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法较早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1~0.2电子伏。天津低压气相沉积真空镀膜公司